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1N5818G

1N5818G

Solo per riferimento

Numero parte 1N5818G
PNEDA Part # 1N5818G
Descrizione DIODE SCHOTTKY 30V 1A AXIAL
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 28.800
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 7 - giu 12 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

1N5818G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte1N5818G
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
1N5818G, 1N5818G Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 138,49 KB)
PDF1N5819RL Datasheet Copertura
1N5819RL Datasheet Pagina 2 1N5819RL Datasheet Pagina 3 1N5819RL Datasheet Pagina 4 1N5819RL Datasheet Pagina 5 1N5819RL Datasheet Pagina 6 1N5819RL Datasheet Pagina 7 1N5819RL Datasheet Pagina 8

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1N5818G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di diodoSchottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)30V
Corrente - Media Rettificata (Io)1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If550mV @ 1A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr1mA @ 30V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaDO-204AL, DO-41, Axial
Pacchetto dispositivo fornitoreAxial
Temperatura di esercizio - Giunzione-65°C ~ 125°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

45V

Corrente - Media Rettificata (Io)

7.5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

570mV @ 7.5A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 45V

Capacità @ Vr, F

400pF @ 5V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-263 (D2Pak)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

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Serie

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Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

30V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1.5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

360mV @ 1.5A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 30V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOD-123F

Pacchetto dispositivo fornitore

S-FLAT (1.6x3.5)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 125°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

40V

Corrente - Media Rettificata (Io)

18A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

720mV @ 36A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

2.5mA @ 40V

Capacità @ Vr, F

1400pF @ 5V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Temperatura di esercizio - Giunzione

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Taiwan Semiconductor Corporation

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Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

660mV @ 5A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

150µA @ 100V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Corrente - Media Rettificata (Io)

-

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

2.4V @ 15A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

50ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

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