1N5806C.TR
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| Numero parte | 1N5806C.TR |
| PNEDA Part # | 1N5806C-TR |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL |
| Produttore | Semtech |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.364 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 13 - giu 18 (Scegli Spedizione rapida) |
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1N5806C.TR Risorse
| Brand | Semtech |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | 1N5806C.TR |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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1N5806C.TR Specifiche
| Produttore | Semtech Corporation |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 150V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 2.5A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 875mV @ 1A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 25ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 150V |
| Capacità @ Vr, F | 25pF @ 5V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | Axial |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 600V Corrente - Media Rettificata (Io) 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 3A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 200ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 600V Capacità @ Vr, F 28pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia DO-201AD, Axial Pacchetto dispositivo fornitore DO-201AD Temperatura di esercizio - Giunzione -50°C ~ 125°C |
