1N5554
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| Numero parte | 1N5554 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | 1N5554 | ||||||||||||||||||
| Descrizione | DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL | ||||||||||||||||||
| Produttore | Microsemi | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 15 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | lug 21 - lug 26 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * | ||||||||||||||||||
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1N5554 Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | 1N5554 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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1N5554 Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 1000V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 3A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 9A |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 2µs |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 1000V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | B, Axial |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
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Produttore Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/116 Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 75V Corrente - Media Rettificata (Io) 200mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.2V @ 50mA Velocità Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr) 20ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 500nA @ 75V Capacità @ Vr, F 4pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-213AA Pacchetto dispositivo fornitore DO-213AA Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 175°C |
Produttore Rohm Semiconductor Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 100V Corrente - Media Rettificata (Io) 700mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 850mV @ 700mA Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 200nA @ 100V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 2-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore TUMD2M Temperatura di esercizio - Giunzione 150°C (Max) |
Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 100V Corrente - Media Rettificata (Io) 40A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.19V @ 90A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 5µs Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 100V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 200°C |
Produttore STMicroelectronics Serie ECOPACK®2 Tipo di diodo Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 1200V Corrente - Media Rettificata (Io) 15A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.5V @ 15A Velocità No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 90µA @ 1200V Capacità @ Vr, F 1200pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia DO-247-2 (Straight Leads) Pacchetto dispositivo fornitore DO-247 Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 175°C |
