1N4150_S62Z
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| Numero parte | 1N4150_S62Z |
| PNEDA Part # | 1N4150_S62Z |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.904 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 24 - mag 29 (Scegli Spedizione rapida) |
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1N4150_S62Z Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | 1N4150_S62Z |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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1N4150_S62Z Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 50V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 200mA |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1V @ 200mA |
| Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 6ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 50V |
| Capacità @ Vr, F | 2.5pF @ 0V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-35 |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | 175°C (Max) |
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Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 200V Corrente - Media Rettificata (Io) 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 900mV @ 2A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 20ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 2µA @ 200V Capacità @ Vr, F 25pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-214AA, SMB Pacchetto dispositivo fornitore DO-214AA (SMB) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C |
