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1N3266R

1N3266R

Solo per riferimento

Numero parte 1N3266R
PNEDA Part # 1N3266R
Descrizione DIODE GEN PURP 350V 160A DO205AB
Produttore Powerex Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.410
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 6 - giu 11 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

1N3266R Risorse

Brand Powerex Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte1N3266R
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
1N3266R, 1N3266R Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 578,56 KB)
PDF1N3276R Datasheet Copertura
1N3276R Datasheet Pagina 2 1N3276R Datasheet Pagina 3 1N3276R Datasheet Pagina 4

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1N3266R Specifiche

ProduttorePowerex Inc.
Serie-
Tipo di diodoStandard, Reverse Polarity
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)350V
Corrente - Media Rettificata (Io)160A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If-
VelocitàStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr12mA @ 350V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioChassis, Stud Mount
Pacchetto / CustodiaDO-205AB, DO-9, Stud
Pacchetto dispositivo fornitoreDO-205AB, DO-9
Temperatura di esercizio - Giunzione-65°C ~ 175°C

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Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

50V

Corrente - Media Rettificata (Io)

6A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 6A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 50V

Capacità @ Vr, F

60pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

R-6

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

1N1183AR

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

*

Tipo di diodo

-

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

-

Corrente - Media Rettificata (Io)

-

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

SGL41-40-E3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

40V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

500mV @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

500µA @ 40V

Capacità @ Vr, F

110pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-213AB, MELF

Pacchetto dispositivo fornitore

GL41 (DO-213AB)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 125°C

1N1203B

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

*

Tipo di diodo

-

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

-

Corrente - Media Rettificata (Io)

-

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

AR3PMHM3/87A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

eSMP®

Tipo di diodo

Avalanche

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1000V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1.6A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.9V @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

120ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 1000V

Capacità @ Vr, F

34pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-277, 3-PowerDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-277A (SMPC)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

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