1N1127A
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| Numero parte | 1N1127A |
| PNEDA Part # | 1N1127A |
| Descrizione | STANDARD RECTIFIER |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.490 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 23 - mag 28 (Scegli Spedizione rapida) |
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1N1127A Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | 1N1127A |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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1N1127A Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | * |
| Tipo di diodo | - |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | - |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | - |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | - |
| Velocità | - |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | - |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / Custodia | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | - |
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Produttore Infineon Technologies Serie CoolSiC™+ Tipo di diodo Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 650V Corrente - Media Rettificata (Io) 10A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 10A Velocità No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 180µA @ 650V Capacità @ Vr, F 300pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO247-3 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C |
Produttore Nexperia USA Inc. Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 75V Corrente - Media Rettificata (Io) 200mA (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1V @ 100mA Velocità Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr) 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 25nA @ 20V Capacità @ Vr, F 4pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 Pacchetto dispositivo fornitore LLDS; MiniMelf Temperatura di esercizio - Giunzione 200°C (Max) |
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Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Tipo di diodo Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 300V Corrente - Media Rettificata (Io) 4A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.6V @ 1A Velocità No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 300V Capacità @ Vr, F 76pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-206AB, TO-46-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore TO-46 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 225°C |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 600V Corrente - Media Rettificata (Io) 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.15V @ 2.5A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 2.5µs Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 600V Capacità @ Vr, F 60pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-214AB, SMC Pacchetto dispositivo fornitore DO-214AB (SMC) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
