Monolithic Power Systems Inc. Transistor - FET, MOSFET - Array

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Tipo FET

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

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Rds On (Max) @ Id, Vgs

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Vgs (th) (Max) @ Id

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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

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Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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CategoriaSemiconduttori / Transistor / Transistor - FET, MOSFET - Array

ProduttoreMonolithic Power Systems Inc.

Record 3

Pagina 1/1

Numero parte	Produttore	Descrizione	Disponibile	Serie	Tipo FET	Funzione FET	Tensione Drain to Source (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	Rds On (Max) @ Id, Vgs	Vgs (th) (Max) @ Id	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Potenza - Max	Temperatura di esercizio	Tipo di montaggio	Pacchetto / Custodia	Pacchetto dispositivo fornitore
LN60A01ES-LF-Z	Monolithic Power Systems Inc.	MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8SOIC	5.004	-	3 N-Channel, Common Gate	Standard	600V	80mA	190Ohm @ 10mA, 10V	1.2V @ 250µA	-	-	1.3W	-20°C ~ 125°C (TJ)	Surface Mount	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SOIC
LN60A01EP-LF	Monolithic Power Systems Inc.	MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8DIP	4.140	-	3 N-Channel, Common Gate	Standard	600V	80mA	190Ohm @ 10mA, 10V	1.2V @ 250µA	-	-	1.3W	-20°C ~ 125°C (TJ)	Through Hole	8-DIP (0.300", 7.62mm)	8-PDIP
LN60A01ES-LF	Monolithic Power Systems Inc.	MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8SOIC	5.058	-	3 N-Channel, Common Gate	Standard	600V	80mA	190Ohm @ 10mA, 10V	1.2V @ 250µA	-	-	1.3W	-20°C ~ 125°C (TJ)	Surface Mount	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SOIC

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