Infineon Technologies Transistor - FET, MOSFET - Singolo

Serie

Ripristina

Tipo FET

Ripristina

Tecnologia

Ripristina

Tensione Drain to Source (Vdss)

Ripristina

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

Ripristina

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

Ripristina

Rds On (Max) @ Id, Vgs

Ripristina

Vgs (th) (Max) @ Id

Ripristina

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

Ripristina

Vgs (massimo)

Ripristina

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

Ripristina

Funzione FET

Ripristina

Dissipazione di potenza (max)

Ripristina

Temperatura di esercizio

Ripristina

Tipo di montaggio

Ripristina

Pacchetto dispositivo fornitore

Ripristina

Pacchetto / Custodia

Ripristina

Mostra filtri

Ripristina filtri

Applica filtri

CategoriaSemiconduttori / Transistor / Transistor - FET, MOSFET - Singolo

ProduttoreInfineon Technologies

Record 6.749

Pagina 223/225

Numero parte	Produttore	Descrizione	Disponibile	Serie	Tipo FET	Tecnologia	Tensione Drain to Source (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)	Rds On (Max) @ Id, Vgs	Vgs (th) (Max) @ Id	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzione FET	Dissipazione di potenza (max)	Temperatura di esercizio	Tipo di montaggio	Pacchetto dispositivo fornitore	Pacchetto / Custodia
IPC26N12NX2SA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 120V SAWN WAFER	7.164	*	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IPC302N08N3X2SA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 80V SAWN WAFER	2.106	*	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
AUIRLR024ZTRL	Infineon Technologies	MOSFET N CH 55V 16A DPAK	7.920	HEXFET®	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55V	16A (Tc)	4.5V, 10V	58mOhm @ 9.6A, 10V	3V @ 250µA	9.9nC @ 5V	±16V	380pF @ 25V	-	35W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	D-Pak	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
IPI120N04S4-01M	Infineon Technologies	MOSFET N-CH TO262-3	7.290	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IPI80N07S405AKSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH TO262-3	5.886	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IPS70N10S3L-12	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 1TO251-3	8.586	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
AUXHMF1404ZSTRL	Infineon Technologies	MOSFET N-CH TO263-3	6.318	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
BSP615S2LHUMA1	Infineon Technologies	MOSFET SOT223-4	8.244	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IPB80N07S405ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH TO263-3	3.690	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
ITD50N04S4L04ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH TO252-5	4.698	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IPA60R125C6E8191XKSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH TO220-3	7.416	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IPA65R310DEXKSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH TO220	6.606	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IPC60R041C6UNSAWNX6SA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH BARE DIE	6.156	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IPC60R070C6UNSAWNX6SA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH BARE DIE	4.410	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IPC60R099C6UNSAWNX6SA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH BARE DIE	2.394	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IPC60R125C6UNSAWNX6SA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH BARE DIE	7.200	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IPC60R160C6UNSAWNX6SA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH BARE DIE	7.596	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IPC60R190E6UNSAWNX6SA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH BARE DIE	7.344	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IPC60R190E6X7SA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH	6.354	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IPC60R190P6X7SA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH	6.930	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IPC60R280E6UNSAWNX6SA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH BARE DIE	4.806	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IPC60R280E6X7SA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH	7.650	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IPC60R380C6X7SA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH	8.442	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IPC60R380E6UNSAWNX6SA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH BARE DIE	3.654	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IPC60R380E6X7SA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH	3.924	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IPC60R520E6UNSAWNX6SA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH BARE DIE	3.024	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IPC60R600E6UNSAWNX6SA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH BARE DIE	7.668	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IPC60R950C6UNSAWNX6SA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH BARE DIE	6.642	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IPS50R520CPAKMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 500V 7.1A TO251-3	5.922	CoolMOS™	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	500V	7.1A (Tc)	10V	520mOhm @ 3.8A, 10V	3.5V @ 250µA	17nC @ 10V	±20V	680pF @ 100V	-	66W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	PG-TO251-3	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
IPS70R2K0CEE8211	Infineon Technologies	MOSFET N-CH	4.788	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-

«
‹
1
...
220
221
222
223 (current)
224
225
›
»

Send Message

Certifications

Infineon Technologies Transistor - FET, MOSFET - Singolo

Risorse

Supporto

Social Media

Need Help?
Send Message