Honeywell Aerospace Transistor - FET, MOSFET - Singolo
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CategoriaSemiconduttori / Transistor / Transistor - FET, MOSFET - Singolo
ProduttoreHoneywell Aerospace
Record 4
Pagina 1/1
Immagine |
Numero parte |
Produttore |
Descrizione |
Disponibile |
Quantità |
Serie | Tipo FET | Tecnologia | Tensione Drain to Source (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | Rds On (Max) @ Id, Vgs | Vgs (th) (Max) @ Id | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | Vgs (massimo) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzione FET | Dissipazione di potenza (max) | Temperatura di esercizio | Tipo di montaggio | Pacchetto dispositivo fornitore | Pacchetto / Custodia |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
Honeywell Aerospace |
MOSFET N-CH 55V 4-PIN |
2.214 |
|
HTMOS™ | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55V | - | 5V | 400mOhm @ 100mA, 5V | 2.4V @ 100µA | 4.3nC @ 5V | 10V | 290pF @ 28V | - | 50W (Tj) | -55°C ~ 225°C (TJ) | Through Hole | 4-Power Tab | 4-SIP |
|
|
|
Honeywell Aerospace |
MOSFET N-CH 55V 8-DIP |
2.988 |
|
HTMOS™ | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55V | - | 5V | 400mOhm @ 100mA, 5V | 2.4V @ 100µA | 4.3nC @ 5V | 10V | 290pF @ 28V | - | 50W (Tj) | -55°C ~ 225°C (TJ) | Through Hole | 8-CDIP-EP | 8-CDIP Exposed Pad |
|
|
|
Honeywell Aerospace |
MOSFET N-CH 55V 8-DIP |
4.824 |
|
HTMOS™ | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55V | - | 5V | 400mOhm @ 100mA, 5V | 2.4V @ 100µA | 4.3nC @ 5V | 10V | 290pF @ 28V | - | 50W (Tj) | - | Through Hole | - | 8-CDIP Exposed Pad |
|
|
|
Honeywell Aerospace |
MOSFET N-CH 55V 4-PIN |
8.946 |
|
HTMOS™ | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55V | - | 5V | 400mOhm @ 100mA, 5V | 2.4V @ 100µA | 4.3nC @ 5V | 10V | 290pF @ 28V | - | 50W (Tj) | - | Through Hole | - | - |