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ZXMHC3A01N8TC Datasheet

ZXMHC3A01N8TC Datasheet
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Diodes Incorporated
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1: ZXMHC3A01N8TC
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ZXMHC3A01N8TC

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.17A, 1.64A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

125mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.9nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

190pF @ 25V

Potenza - Max

870mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOP