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ZXMHC10A07N8TC Datasheet

ZXMHC10A07N8TC Datasheet
Totale pagine: 11
Dimensioni: 721,89 KB
Diodes Incorporated
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1: ZXMHC10A07N8TC
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ZXMHC10A07N8TC

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

800mA, 680mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

700mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.9nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

138pF @ 60V

Potenza - Max

870mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOP