ZXMC4A16DN8TA Datasheet
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Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET N and P-Channel Complementary Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5.2A (Ta), 4.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 4.5A, 10V, 60mOhm @ 3.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250mA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 770pF @ 40V, 1000pF @ 20V Potenza - Max 2.1W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET N and P-Channel Complementary Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5.2A (Ta), 4.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 4.5A, 10V, 60mOhm @ 3.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250mA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 770pF @ 40V, 1000pF @ 20V Potenza - Max 2.1W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
