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SUP85N10-10P-GE3 Datasheet

SUP85N10-10P-GE3 Datasheet
Totale pagine: 7
Dimensioni: 101,7 KB
Vishay Siliconix
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1: SUP85N10-10P-GE3
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SUP85N10-10P-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

85A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

120nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4660pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.75W (Ta), 227W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

Pacchetto / Custodia

TO-220-3