STY60NK30Z Datasheet
STY60NK30Z Datasheet
Totale pagine: 8
Dimensioni: 190,16 KB
STMicroelectronics
Sito web: https://www.st.com/
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
STY60NK30Z
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Produttore STMicroelectronics Serie SuperMESH™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 300V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 60A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 220nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7200pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 450W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore MAX247™ Pacchetto / Custodia TO-247-3 |
