STSJ100NHS3LL Datasheet
STSJ100NHS3LL Datasheet
Totale pagine: 12
Dimensioni: 308,92 KB
STMicroelectronics
Sito web: https://www.st.com/
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
STSJ100NHS3LL
|
Produttore STMicroelectronics Serie STripFET™ III Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4200pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta), 70W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC-EP Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad |
