STP3N80K5 Datasheet
|
Produttore STMicroelectronics Serie SuperMESH5™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.5nC @ 10V Vgs (massimo) 30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 130pF @ 100V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 60W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-220 Pacchetto / Custodia TO-220-3 |
Produttore STMicroelectronics Serie SuperMESH5™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.5nC @ 10V Vgs (massimo) 30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 130pF @ 100V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 60W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore I-PAK Pacchetto / Custodia TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Produttore STMicroelectronics Serie SuperMESH5™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.5nC @ 10V Vgs (massimo) 30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 130pF @ 100V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 20W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-220FP Pacchetto / Custodia TO-220-3 Full Pack |
Produttore STMicroelectronics Serie MDmesh™ K5 Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.25Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.63nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 102pF @ 100V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 45W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore IPAK (TO-251) Pacchetto / Custodia TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Produttore STMicroelectronics Serie SuperMESH5™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.5nC @ 10V Vgs (massimo) 30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 130pF @ 100V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 60W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore DPAK Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
