STL18NM60N Datasheet
STL18NM60N Datasheet
Totale pagine: 16
Dimensioni: 938,51 KB
STMicroelectronics
Sito web: https://www.st.com/
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
STL18NM60N
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Produttore STMicroelectronics Serie MDmesh™ II Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.1A (Ta), 12A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 310mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1000pF @ 50V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta), 110W (Tc) Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore PowerFlat™ (8x8) HV Pacchetto / Custodia 8-PowerVDFN |
