STK12C68-PF55 Datasheet
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Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria NVSRAM Tecnologia NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Dimensione della memoria 64Kb (8K x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 55ns Tempo di accesso 55ns Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 28-DIP (0.300", 7.62mm) Pacchetto dispositivo fornitore 28-PDIP |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria NVSRAM Tecnologia NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Dimensione della memoria 64Kb (8K x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 45ns Tempo di accesso 45ns Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 28-DIP (0.600", 15.24mm) Pacchetto dispositivo fornitore 28-DIP |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria NVSRAM Tecnologia NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Dimensione della memoria 64Kb (8K x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 25ns Tempo di accesso 25ns Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 28-DIP (0.600", 15.24mm) Pacchetto dispositivo fornitore 28-DIP |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria NVSRAM Tecnologia NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Dimensione della memoria 64Kb (8K x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 25ns Tempo di accesso 25ns Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 28-DIP (0.600", 15.24mm) Pacchetto dispositivo fornitore 28-DIP |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria NVSRAM Tecnologia NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Dimensione della memoria 64Kb (8K x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 45ns Tempo di accesso 45ns Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 28-DIP (0.300", 7.62mm) Pacchetto dispositivo fornitore 28-PDIP |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria NVSRAM Tecnologia NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Dimensione della memoria 64Kb (8K x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 25ns Tempo di accesso 25ns Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 28-DIP (0.300", 7.62mm) Pacchetto dispositivo fornitore 28-PDIP |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria NVSRAM Tecnologia NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Dimensione della memoria 64Kb (8K x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 45ns Tempo di accesso 45ns Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 28-LCC Pacchetto dispositivo fornitore 28-LCC (13.97x8.89) |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria NVSRAM Tecnologia NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Dimensione della memoria 64Kb (8K x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 45ns Tempo di accesso 45ns Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 28-LCC Pacchetto dispositivo fornitore 28-LCC (13.97x8.89) |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria NVSRAM Tecnologia NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Dimensione della memoria 64Kb (8K x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 35ns Tempo di accesso 35ns Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 28-LCC Pacchetto dispositivo fornitore 28-LCC (13.97x8.89) |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria NVSRAM Tecnologia NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Dimensione della memoria 64Kb (8K x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 35ns Tempo di accesso 35ns Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 28-LCC Pacchetto dispositivo fornitore 28-LCC (13.97x8.89) |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria NVSRAM Tecnologia NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Dimensione della memoria 64Kb (8K x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 45ns Tempo di accesso 45ns Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 28-CDIP (0.300", 7.62mm) Pacchetto dispositivo fornitore 28-CDIP |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria NVSRAM Tecnologia NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Dimensione della memoria 64Kb (8K x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 35ns Tempo di accesso 35ns Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 28-CDIP (0.300", 7.62mm) Pacchetto dispositivo fornitore 28-CDIP |
