STB28N65M2 Datasheet
![STB28N65M2 Datasheet Pagina 1](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/25/stb28n65m2-0001.webp)
![STB28N65M2 Datasheet Pagina 2](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/25/stb28n65m2-0002.webp)
![STB28N65M2 Datasheet Pagina 3](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/25/stb28n65m2-0003.webp)
![STB28N65M2 Datasheet Pagina 4](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/25/stb28n65m2-0004.webp)
![STB28N65M2 Datasheet Pagina 5](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/25/stb28n65m2-0005.webp)
![STB28N65M2 Datasheet Pagina 6](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/25/stb28n65m2-0006.webp)
![STB28N65M2 Datasheet Pagina 7](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/25/stb28n65m2-0007.webp)
![STB28N65M2 Datasheet Pagina 8](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/25/stb28n65m2-0008.webp)
![STB28N65M2 Datasheet Pagina 9](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/25/stb28n65m2-0009.webp)
![STB28N65M2 Datasheet Pagina 10](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/25/stb28n65m2-0010.webp)
![STB28N65M2 Datasheet Pagina 11](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/25/stb28n65m2-0011.webp)
![STB28N65M2 Datasheet Pagina 12](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/25/stb28n65m2-0012.webp)
![STB28N65M2 Datasheet Pagina 13](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/25/stb28n65m2-0013.webp)
![STB28N65M2 Datasheet Pagina 14](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/25/stb28n65m2-0014.webp)
![STB28N65M2 Datasheet Pagina 15](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/25/stb28n65m2-0015.webp)
![STB28N65M2 Datasheet Pagina 16](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/25/stb28n65m2-0016.webp)
![STB28N65M2 Datasheet Pagina 17](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/25/stb28n65m2-0017.webp)
![STB28N65M2 Datasheet Pagina 18](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/25/stb28n65m2-0018.webp)
![STB28N65M2 Datasheet Pagina 19](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/25/stb28n65m2-0019.webp)
![STB28N65M2 Datasheet Pagina 20](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/25/stb28n65m2-0020.webp)
![STB28N65M2 Datasheet Pagina 21](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/25/stb28n65m2-0021.webp)
![STB28N65M2 Datasheet Pagina 22](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/25/stb28n65m2-0022.webp)
Produttore STMicroelectronics Serie MDmesh™ M2 Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V Vgs (massimo) ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1440pF @ 100V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 170W (Tc) Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore D2PAK Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Produttore STMicroelectronics Serie MDmesh™ M2 Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V Vgs (massimo) ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1440pF @ 100V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 30W (Tc) Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-220FP Pacchetto / Custodia TO-220-3 Full Pack |
Produttore STMicroelectronics Serie MDmesh™ M2 Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V Vgs (massimo) ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1440pF @ 100V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 170W (Tc) Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-220 Pacchetto / Custodia TO-220-3 |
Produttore STMicroelectronics Serie MDmesh™ M2 Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V Vgs (massimo) ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1440pF @ 100V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 170W (Tc) Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-247 Pacchetto / Custodia TO-247-3 |