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SSM6N7002BFU Datasheet

SSM6N7002BFU Datasheet
Totale pagine: 5
Dimensioni: 201,83 KB
Toshiba Semiconductor and Storage
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 2: SSM6N7002BFU,LF, SSM6N7002BFU(T5L,F
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SSM6N7002BFU Datasheet Pagina 5
SSM6N7002BFU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

200mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.1Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

17pF @ 25V

Potenza - Max

300mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

US6

SSM6N7002BFU(T5L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

200mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.1Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

17pF @ 25V

Potenza - Max

300mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

US6