SQS966ENW-T1_GE3 Datasheet
SQS966ENW-T1_GE3 Datasheet
Totale pagine: 11
Dimensioni: 598,27 KB
Vishay Siliconix
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
SQS966ENW-T1_GE3
|
Produttore Vishay Siliconix Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 36mOhm @ 1.25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.8nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 572pF @ 25V Potenza - Max 27.8W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount, Wettable Flank Pacchetto / Custodia PowerPAK® 1212-8W Dual Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® 1212-8W Dual |
