Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

SQJ407EP-T1_GE3 Datasheet

SQJ407EP-T1_GE3 Datasheet
Totale pagine: 7
Dimensioni: 180,05 KB
Vishay Siliconix
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1: SQJ407EP-T1_GE3
SQJ407EP-T1_GE3 Datasheet Pagina 1
SQJ407EP-T1_GE3 Datasheet Pagina 2
SQJ407EP-T1_GE3 Datasheet Pagina 3
SQJ407EP-T1_GE3 Datasheet Pagina 4
SQJ407EP-T1_GE3 Datasheet Pagina 5
SQJ407EP-T1_GE3 Datasheet Pagina 6
SQJ407EP-T1_GE3 Datasheet Pagina 7
SQJ407EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

60A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.4mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

260nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

10700pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

68W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerPAK® SO-8

Pacchetto / Custodia

PowerPAK® SO-8