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SPD30N08S2L-21 Datasheet

SPD30N08S2L-21 Datasheet
Totale pagine: 8
Dimensioni: 263,73 KB
Infineon Technologies
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1: SPD30N08S2L-21
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SPD30N08S2L-21

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

75V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

30A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20.5mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 80µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

72nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2130pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

136W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

P-TO252-3

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63