Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

SIHW70N60EF-GE3 Datasheet

SIHW70N60EF-GE3 Datasheet
Totale pagine: 8
Dimensioni: 317,12 KB
Vishay Siliconix
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1: SIHW70N60EF-GE3
SIHW70N60EF-GE3 Datasheet Pagina 1
SIHW70N60EF-GE3 Datasheet Pagina 2
SIHW70N60EF-GE3 Datasheet Pagina 3
SIHW70N60EF-GE3 Datasheet Pagina 4
SIHW70N60EF-GE3 Datasheet Pagina 5
SIHW70N60EF-GE3 Datasheet Pagina 6
SIHW70N60EF-GE3 Datasheet Pagina 7
SIHW70N60EF-GE3 Datasheet Pagina 8
SIHW70N60EF-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

70A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

38mOhm @ 35A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

380nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7500pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

520W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AD

Pacchetto / Custodia

TO-247-3