Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

SIHP690N60E-GE3 Datasheet

SIHP690N60E-GE3 Datasheet
Totale pagine: 8
Dimensioni: 270,32 KB
Vishay Siliconix
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1: SIHP690N60E-GE3
SIHP690N60E-GE3 Datasheet Pagina 1
SIHP690N60E-GE3 Datasheet Pagina 2
SIHP690N60E-GE3 Datasheet Pagina 3
SIHP690N60E-GE3 Datasheet Pagina 4
SIHP690N60E-GE3 Datasheet Pagina 5
SIHP690N60E-GE3 Datasheet Pagina 6
SIHP690N60E-GE3 Datasheet Pagina 7
SIHP690N60E-GE3 Datasheet Pagina 8
SIHP690N60E-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

E

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.4A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

700mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

347pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

62.5W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

Pacchetto / Custodia

TO-220-3