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SIA915DJ-T4-GE3 Datasheet

SIA915DJ-T4-GE3 Datasheet
Totale pagine: 9
Dimensioni: 263,48 KB
Vishay Siliconix
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1: SIA915DJ-T4-GE3
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SIA915DJ-T4-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.7A (Ta), 4.5A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

87mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

275pF @ 15V

Potenza - Max

1.9W (Ta), 6.5W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

PowerPAK® SC-70-6 Dual

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerPAK® SC-70-6 Dual