Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

SIA910EDJ-T1-GE3 Datasheet

SIA910EDJ-T1-GE3 Datasheet
Totale pagine: 9
Dimensioni: 275,6 KB
Vishay Siliconix
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1: SIA910EDJ-T1-GE3
SIA910EDJ-T1-GE3 Datasheet Pagina 1
SIA910EDJ-T1-GE3 Datasheet Pagina 2
SIA910EDJ-T1-GE3 Datasheet Pagina 3
SIA910EDJ-T1-GE3 Datasheet Pagina 4
SIA910EDJ-T1-GE3 Datasheet Pagina 5
SIA910EDJ-T1-GE3 Datasheet Pagina 6
SIA910EDJ-T1-GE3 Datasheet Pagina 7
SIA910EDJ-T1-GE3 Datasheet Pagina 8
SIA910EDJ-T1-GE3 Datasheet Pagina 9
SIA910EDJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

28mOhm @ 5.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

455pF @ 6V

Potenza - Max

7.8W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

PowerPAK® SC-70-6 Dual

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerPAK® SC-70-6 Dual