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SI8424CDB-T1-E1 Datasheet

SI8424CDB-T1-E1 Datasheet
Totale pagine: 11
Dimensioni: 246,76 KB
Vishay Siliconix
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1: SI8424CDB-T1-E1
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SI8424CDB-T1-E1

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

8V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

800mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2340pF @ 4V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.1W (Ta), 2.7W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

4-Microfoot

Pacchetto / Custodia

4-UFBGA, WLCSP