SI7315DN-T1-GE3 Datasheet
SI7315DN-T1-GE3 Datasheet
Totale pagine: 13
Dimensioni: 566,31 KB
Vishay Siliconix
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
SI7315DN-T1-GE3
|
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 150V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 8.9A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 7.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 315mOhm @ 2.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 880pF @ 75V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Temperatura di esercizio -50°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® 1212-8 Pacchetto / Custodia PowerPAK® 1212-8 |
