SI5517DU-T1-E3 Datasheet
|
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET N and P-Channel Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs 39mOhm @ 4.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 520pF @ 10V Potenza - Max 8.3W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia PowerPAK® ChipFET™ Dual Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® ChipFet Dual |
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET N and P-Channel Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs 39mOhm @ 4.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 520pF @ 10V Potenza - Max 8.3W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia PowerPAK® ChipFET™ Dual Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® ChipFet Dual |
