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SI4276DY-T1-E3 Datasheet

SI4276DY-T1-E3 Datasheet
Totale pagine: 14
Dimensioni: 227,94 KB
Vishay Siliconix
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1: SI4276DY-T1-E3
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SI4276DY-T1-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15.3mOhm @ 9.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1000pF @ 15V

Potenza - Max

3.6W, 2.8W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO