SI1065X-T1-GE3 Datasheet
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Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 156mOhm @ 1.18A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.8nC @ 5V Vgs (massimo) ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 480pF @ 6V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 236mW (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore SC-89-6 Pacchetto / Custodia SOT-563, SOT-666 |
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 156mOhm @ 1.18A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.8nC @ 5V Vgs (massimo) ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 480pF @ 6V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 236mW (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore SC-89-6 Pacchetto / Custodia SOT-563, SOT-666 |
