Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

RJK5030DPP-M0#T2 Datasheet

RJK5030DPP-M0#T2 Datasheet
Totale pagine: 7
Dimensioni: 77,8 KB
Renesas Electronics America
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1: RJK5030DPP-M0#T2
RJK5030DPP-M0#T2 Datasheet Pagina 1
RJK5030DPP-M0#T2 Datasheet Pagina 2
RJK5030DPP-M0#T2 Datasheet Pagina 3
RJK5030DPP-M0#T2 Datasheet Pagina 4
RJK5030DPP-M0#T2 Datasheet Pagina 5
RJK5030DPP-M0#T2 Datasheet Pagina 6
RJK5030DPP-M0#T2 Datasheet Pagina 7
RJK5030DPP-M0#T2

Renesas Electronics America

Produttore

Renesas Electronics America

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.6Ohm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

550pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

28.5W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220FL

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack