RJK5030DPD-00#J2 Datasheet
RJK5030DPD-00#J2 Datasheet
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Renesas Electronics America
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
RJK5030DPD-00#J2
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Produttore Renesas Electronics America Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6Ohm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 550pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 41.7W (Tc) Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore MP-3A Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
