RJK2009DPM-00#T0 Datasheet
RJK2009DPM-00#T0 Datasheet
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Renesas Electronics America
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
RJK2009DPM-00#T0
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Produttore Renesas Electronics America Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 40A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 36mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2900pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 60W (Tc) Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-3PFM Pacchetto / Custodia TO-3PFM, SC-93-3 |
