PSMNR58-30YLHX Datasheet
PSMNR58-30YLHX Datasheet
Totale pagine: 12
Dimensioni: 291,68 KB
Nexperia
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
PSMNR58-30YLHX
|
Produttore Nexperia USA Inc. Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 300A Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 98nC @ 10V Vgs (massimo) - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6.16nF @ 10V Funzione FET Schottky Diode (Body) Dissipazione di potenza (max) - Temperatura di esercizio 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore LFPAK56, Power-SO8 Pacchetto / Custodia SOT-1023, 4-LFPAK |
