Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

PSMN030-150P Datasheet

PSMN030-150P Datasheet
Totale pagine: 13
Dimensioni: 833,69 KB
Nexperia
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1: PSMN030-150P,127
PSMN030-150P Datasheet Pagina 1
PSMN030-150P Datasheet Pagina 2
PSMN030-150P Datasheet Pagina 3
PSMN030-150P Datasheet Pagina 4
PSMN030-150P Datasheet Pagina 5
PSMN030-150P Datasheet Pagina 6
PSMN030-150P Datasheet Pagina 7
PSMN030-150P Datasheet Pagina 8
PSMN030-150P Datasheet Pagina 9
PSMN030-150P Datasheet Pagina 10
PSMN030-150P Datasheet Pagina 11
PSMN030-150P Datasheet Pagina 12
PSMN030-150P Datasheet Pagina 13
PSMN030-150P,127

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

150V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

55.5A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

98nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3680pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

250W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

Pacchetto / Custodia

TO-220-3