PMZB1200UPEYL Datasheet
PMZB1200UPEYL Datasheet
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Nexperia
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
PMZB1200UPEYL
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Produttore Nexperia USA Inc. Serie - Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 410mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.2nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 43.2pF @ 15V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 310mW (Ta), 1.67W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore DFN1006B-3 Pacchetto / Custodia 3-XFDFN |
