PMN22XN Datasheet
PMN22XN Datasheet
Totale pagine: 15
Dimensioni: 988,79 KB
NXP
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
PMN22XN,115
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Produttore NXP USA Inc. Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5.7A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 27mOhm @ 5.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 585pF @ 15V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 545mW (Ta), 6.25W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 6-TSOP Pacchetto / Custodia SC-74, SOT-457 |
