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PBLS2002S Datasheet

PBLS2002S Datasheet
Totale pagine: 17
Dimensioni: 226,32 KB
NXP
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1: PBLS2002S,115
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Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

1 NPN Pre-Biased, 1 PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA, 3A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V, 20V

Resistenza - Base (R1)

4.7kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

4.7kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 10mA, 5V / 150 @ 2A, 2V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 10mA / 355mV @ 300mA, 3A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1µA, 100nA

Frequenza - Transizione

100MHz

Potenza - Max

1.5W

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO