NVMFD6H852NLWFT1G Datasheet
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Produttore ON Semiconductor Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 7A (Ta), 25A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 25.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 26µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 521pF @ 40V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 3.2W (Ta), 38W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) Pacchetto / Custodia 8-PowerTDFN |
Produttore ON Semiconductor Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 7A (Ta), 25A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 25.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 26µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 521pF @ 40V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 3.2W (Ta), 38W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) Pacchetto / Custodia 8-PowerTDFN |
