Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

NTLGD3502NT1G Datasheet

NTLGD3502NT1G Datasheet
Totale pagine: 9
Dimensioni: 142,49 KB
ON Semiconductor
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 2: NTLGD3502NT1G, NTLGD3502NT2G
NTLGD3502NT1G Datasheet Pagina 1
NTLGD3502NT1G Datasheet Pagina 2
NTLGD3502NT1G Datasheet Pagina 3
NTLGD3502NT1G Datasheet Pagina 4
NTLGD3502NT1G Datasheet Pagina 5
NTLGD3502NT1G Datasheet Pagina 6
NTLGD3502NT1G Datasheet Pagina 7
NTLGD3502NT1G Datasheet Pagina 8
NTLGD3502NT1G Datasheet Pagina 9
NTLGD3502NT1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.3A, 3.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 4.3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

480pF @ 10V

Potenza - Max

1.74W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-VDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

6-DFN (3x3)

NTLGD3502NT2G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.3A, 3.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 4.3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

480pF @ 10V

Potenza - Max

1.74W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-VDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

6-DFN (3x3)