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NP88N04KUG-E1-AY Datasheet

NP88N04KUG-E1-AY Datasheet
Totale pagine: 9
Dimensioni: 288,34 KB
Renesas Electronics America
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1: NP88N04KUG-E1-AY
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NP88N04KUG-E1-AY

Renesas Electronics America

Produttore

Renesas Electronics America

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

88A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.9mOhm @ 44A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

250nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

15000pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.8W (Ta), 200W (Tc)

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-263 (D²Pak)

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB