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NP20P04SLG-E1-AY Datasheet

NP20P04SLG-E1-AY Datasheet
Totale pagine: 9
Dimensioni: 300,21 KB
Renesas Electronics America
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1: NP20P04SLG-E1-AY
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NP20P04SLG-E1-AY

Renesas Electronics America

Produttore

Renesas Electronics America

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

34nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1650pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.2W (Ta), 38W (Tc)

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-252 (MP-3ZK)

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63