NDP6060L Datasheet
|
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 48A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 24A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 5V Vgs (massimo) ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2000pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 100W (Tc) Temperatura di esercizio -65°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-220-3 Pacchetto / Custodia TO-220-3 |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 48A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 24A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 5V Vgs (massimo) ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2000pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 100W (Tc) Temperatura di esercizio -65°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore D²PAK (TO-263AB) Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
