N0604N-S19-AY Datasheet
N0604N-S19-AY Datasheet
Totale pagine: 8
Dimensioni: 141,46 KB
Renesas Electronics America
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
N0604N-S19-AY
|
Produttore Renesas Electronics America Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 82A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 41A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 75nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4150pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 1.5W (Ta), 156W (Tc) Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-220 Isolated Tab Pacchetto / Custodia TO-220-3 Isolated Tab |
