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KBL410G Datasheet

KBL410G Datasheet
Totale pagine: 3
Dimensioni: 419,04 KB
GeneSiC Semiconductor
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 3: KBL410G, KBL408G, KBL406G
KBL410G Datasheet Pagina 1
KBL410G Datasheet Pagina 2
KBL410G Datasheet Pagina 3
KBL410G

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

1kV

Corrente - Media Rettificata (Io)

4A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 4A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 1000V

Temperatura di esercizio

-50°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

4-SIP, KBL

Pacchetto dispositivo fornitore

KBL

KBL408G

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

800V

Corrente - Media Rettificata (Io)

4A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 4A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 800V

Temperatura di esercizio

-50°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

4-SIP, KBL

Pacchetto dispositivo fornitore

KBL

KBL406G

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

4A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 4A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 600V

Temperatura di esercizio

-50°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

4-SIP, KBL

Pacchetto dispositivo fornitore

KBL