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IXBX75N170 Datasheet

IXBX75N170 Datasheet
Totale pagine: 5
Dimensioni: 179,72 KB
IXYS
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 2: IXBX75N170, IXBK75N170
IXBX75N170 Datasheet Pagina 1
IXBX75N170 Datasheet Pagina 2
IXBX75N170 Datasheet Pagina 3
IXBX75N170 Datasheet Pagina 4
IXBX75N170 Datasheet Pagina 5
IXBX75N170

IXYS

Produttore

IXYS

Serie

BIMOSFET™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1700V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

580A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.1V @ 15V, 75A

Potenza - Max

1040W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

350nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

1.5µs

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

PLUS247™-3

IXBK75N170

IXYS

Produttore

IXYS

Serie

BIMOSFET™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1700V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

580A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.1V @ 15V, 75A

Potenza - Max

1040W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

350nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

1.5µs

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-264-3, TO-264AA

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-264