IS43LD32320C-18BLI Datasheet
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Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 Dimensione della memoria 1Gb (32M x 32) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 533MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 15ns Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 1.14V ~ 1.95V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 134-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 134-TFBGA (10x11.5) |
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 Dimensione della memoria 1Gb (64M x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 533MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 15ns Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 1.14V ~ 1.95V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 134-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 134-TFBGA (10x11.5) |
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 Dimensione della memoria 1Gb (32M x 32) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 533MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 15ns Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 1.14V ~ 1.95V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 134-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 134-TFBGA (10x11.5) |
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 Dimensione della memoria 1Gb (64M x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 533MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 15ns Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 1.14V ~ 1.95V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 134-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 134-TFBGA (10x11.5) |
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 Dimensione della memoria 1Gb (32M x 32) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 15ns Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 1.14V ~ 1.95V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 134-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 134-TFBGA (10x11.5) |
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 Dimensione della memoria 1Gb (64M x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 15ns Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 1.14V ~ 1.95V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 134-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 134-TFBGA (10x11.5) |
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 Dimensione della memoria 1Gb (32M x 32) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 15ns Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 1.14V ~ 1.95V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 134-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 134-TFBGA (10x11.5) |
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 Dimensione della memoria 1Gb (64M x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 15ns Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 1.14V ~ 1.95V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 134-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 134-TFBGA (10x11.5) |
