IRLL014PBF Datasheet
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Produttore Vishay Siliconix Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 1.6A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.4nC @ 5V Vgs (massimo) ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta), 3.1W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore SOT-223 Pacchetto / Custodia TO-261-4, TO-261AA |
Produttore Vishay Siliconix Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 1.6A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.4nC @ 5V Vgs (massimo) ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta), 3.1W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore SOT-223 Pacchetto / Custodia TO-261-4, TO-261AA |
Produttore Vishay Siliconix Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 1.6A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.4nC @ 5V Vgs (massimo) ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta), 3.1W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore SOT-223 Pacchetto / Custodia TO-261-4, TO-261AA |
Produttore Vishay Siliconix Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 1.6A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.4nC @ 5V Vgs (massimo) ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta), 3.1W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore SOT-223 Pacchetto / Custodia TO-261-4, TO-261AA |
